简介:

GB/T 42968.2-2024已经于2024年10月26日正式发布和实施,这使得我们不再局限于使用 YD/T 1690.2-2007 旧标准来完成集成电路的EMC测试中的辐射抗扰度测试项目,新标准定义了如何根据国家标准 GB/T 42968.2-2024 使用TEM小室测量集成电路电磁辐射抗扰度的分析测试。下面就来了解下GB/T 42968.2-2024 的一些相关标准信息。

国家标准编号和标准名称:

标准编号:GB/T 42968.2-2024

中文名称:集成电路 电磁抗扰度测量 第2部分:辐射抗扰度测量 TEM小室和宽带TEM小室法

英文名称:(等同于国际标准 IEC 62132-2:2010 )Integrated circuits—Measurement of electromagnetic immunity—Part 2: Measurement of radiated immunity—TEM cell and wideband TEM cell method

正式发布日期:2024年10月26日

正式实施日期:2024年10月26日

替代标准:YD/T 1690.2-2007 电信设备内部电磁发射诊断技术要求和测量方法(150kHz~1GHz) 第2部分:辐射发射测量 TEM小室和宽带TEM小室方法

标准要求:

GB/T 42968.2-2024 提出了TEM 小室、 宽带 TEM 或 GTEM cell 的测试方法。

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GB/T 42968.2-2024 对TEM cell 的介绍和要求:

TEM 小室介绍:

TEM 小室提供了一种宽带方法,用于测量DUT对 小室内产生的场或放置在 小室内的DUT的辐射发射的抗扰度。它消除了使用传统天线的固有带宽、非线性相位、方向性和极化测量限制。TEM(横向电磁模式) 小室是一种扩展的传输线,用于传播来自外部或内部源的TEM波。该波的特征是横向正交电场(E)和磁场(H),它们垂直于沿 小室或传输线长度的传播方向。该场模拟了自由空间中产生的阻抗为377Ω的平面场。TEM模式没有低频截止。这使得CELL可以在所需的低频率下使用。TEM模式还具有作为频率函数的15线性相位和恒定振幅响应。这使得可以使用该 小室来产生或检测已知的场强。 小室的有效频率上限受到 小室内发生的共振和多模引起的测试信号失真的限制。这些效应是TEM cell 的物理尺寸和形状的函数。

例如,1 GHz TEM cell 的尺寸和形状在cell的输入和输出馈电点处具有阻抗匹配,这将VSWR限制在额定频率以下小于1.5。该cell的每一端都是锥形的,以适应传统的50Ω同轴连接器,并配备了一个接入端口来容纳IC测试板。第一个共振是通过在窄频率范围内的高VSWR来证明的。CELL的高Q值是造成这种高VSWR的原因。经过验证的最大频率场生成cell也适用于该频率的发射测量。

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对TEM cell 的技术规格要求:

标准要求用于此测试程序的TEM cell 是一个双端口TEM波导,应配备一个EUT适配端口,其尺寸应与EMC测试适配板相匹配。TEM cell 在测量的频率范围内不应出现高阶模式。对于此程序,推荐的TEM小室频率范围为150 kHz至最低高阶模式的第一次共振频率(通常<2 GHz)。应仅使用单个 小室覆盖正在评估的频率范围。TEM 小室在被测频率范围内的VSWR应小于1.5。

然而,由于在计算施加的电场时可能存在误差,应该优选VSWR小于1.2的TEM 小室。VSWR小于1.2的TEM cell不需要场强表征。VSWR大于或等于1.2但小于1.5的TEM cell 应按照附件A中的程序进行表征。原始TEM 小室的 VSWR数据(在测量的频率范围内)应包含在测试报告中。从VSWR小于1.2的TEM小室获得的测量结果将优于从VSWR较高的TEM 小室获取的数据。

GB/T 42968.2-2024 对宽带 TEM或GTEM的介绍和要求:

对宽带 TEM 或 GTEM 的介绍:

宽带TEM或GTEM cell 是一种扩展的传输线,它不会像传统TEM cell 那样转换回50Ω馈电,而是不断扩展,并以隔膜负载和RF吸收材料终止。该cell避免了传统 TEM cell 的修改限制,因此其可用的上限频率不受其尺寸的限制,而是受RF吸收器和隔膜终端的特性的限制。宽带TEM cell 可以是几乎任何实际尺寸,可用频率范围高达18GHz。

GTEM cell 提供了将辐射抗扰度测量的上限频率扩展到 TEM cell 的1 GHz至2 GHz限制之外的潜力。例如,为了能够正确评估使用接近或高于1 GHz时钟频率的IC,需要扩展频率限制。

此外, GTEM cell 的较大尺寸提供了评估需要大于IEC 62132-1中定义的默认尺寸的PCB的IC的能力。与此测试方法的任何其他修改一样,PCB尺寸可以根据制造商和用户之间的约定进行扩展,并应仔细记录在测试报告中。

对宽带TEM 或 GTEM 的技术要求:

用于此测试程序的GHz或宽带TEM(GTEM)cell 是一个单端口TEM波导,应配备一个与EMC测试板匹配的适配放置端口。GTEM 小室在测量的频率范围内不应出现高阶模式。对于此程序,建议的GTEM 小室频率范围为150 kHz至最低高阶模式的第一次共振频率(通常>2 GHz)。应使用单个 小室覆盖正在评估的频率范围。

GTEM 小室在被测频率范围内的VSWR应小于1.5。然而,由于计算施加电场时可能存在误差,因此优选VSWR小于1.2的GTEM 小室。VSWR小于1.2的GTEM 小室不需要场强表征。VSWR大于或等于1.2但小于1.5的GTEM 小室应按照附件A中的程序进行表征。原始GTEM 小室VSWR数据(在测量的频率范围内)应包含在测试报告中。从VSWR小于1.2的GTEM 小室获得的测量结果将优先于从VSWR较高的GTEMCELL获得的数据。。

标准要求的被测芯片的测试布置图:

安装了被测集成电路芯片的EMC测试适配电路板应安装在TEM cell或GTEM cell 的适配端口上,DUT面向TEM的隔膜板,如下图所示:

GB/T 42968.2-2024 使用TEM小室测量集成电路电磁辐射抗扰度-在 TEM CELL 的适配端口上安装被测芯片测试适配电路板

在 TEM CELL 的适配端口上安装被测芯片测试适配电路板

在正确安装适配电路板后,即可使用外部的信号源、功率放大器注入射频功率到TEM的输入端口开始给被测芯片辐射电场,要注意的是需要在测试时不断关注和监视被测物芯片的工作状态,并写入测试报告中。

GB/T 42968.2-2024 使用TEM小室测量集成电路电磁辐射抗扰度-使用信号源、功放等设备注入射频功率到TEM小室

使用信号源、功放等设备注入射频功率到TEM小室

使用 GTEM cell 注入时也是使用同样的设备,但是GTEM 相比 TEM cell 可以放置更大的被测物,因为它的可测区域尺寸可达1米高,而 TEM cell 仅10cm可测区域。这需要根据您的产品需求来选择合适的测试方法。

可选购的 TEM cell 测试仪器设备:

如果您需要您公司生产的IC产品根据GB/T 42968.2-2024 使用TEM小室测量集成电路电磁辐射抗扰度来测量集成电路的抗扰度性能,您可以选购以下设备测试使用,EUTTEST提供完整的芯片EMC测试方案和售后培训服务。

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相关标准:

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